Zamknij X
Zamknij X


Przypomnij hasło
Dzisiaj jest Środa, 23 maja 2012 | ISSN 2084-0551 Logowanie Rejestracja polski polski english deutsch
Praca Katalog firm i laboratoriów Forum Aukcje Zapytania ofertowe
Szukaj
Zamknij X
Wyslij wiadomość

Imię i nazwisko: *
E-mail: *
Wiadomość: *
Przepisz kod * captcha

Zadzwoń do nas za darmo



Dane kontaktowe

Laboratoria.net
ul. Czerwone Maki 55 /25
Kraków 30-392
Tel./Fax:12 346 16 95

Jesteś tutaj: Strona główna > Nowe technologie

baner


W obiektywie TV Laboratoria
Uruchamianie wideo ...
Newsletter
Zawsze aktualne informacje

Sonda

Jak podoba Ci się portal TV Laboratoria?








Gotowy materiał na grafenowe tranzystory
Uczeni z Wlk. Brytanii stworzyli materiał przekładkowy umożliwiający budowę w pełni funkcjonalnych tranzystorów grafenowych. Będą one bazą do skonstruowania szybkich i tanich komputerów – poinformował magazyn Science.

Warstwa grafenu o grubości jednego atomu stwarza zdecydowanie lepsze warunki do szybkiego przepływu elektronów niż warstwa krzemu o tej samej grubości. Właśnie ten materiał miał być podstawą do budowy superszybkich komputerów.

Jak się jednak okazało, konieczne będzie zwolnienie przepływu elektronów w warstwie grafenowej. Dla wykonania obliczeń w układzie muszą następować szybkie zmiany kierunku przepływu prądu poprzez włączanie i wyłączanie tranzystorów sterujących.

Skonstruowanie regulujących ten przepływ tranzystorów na bazie grafenu jest trudne, ze względu właśnie na ich zbyt wysoki współczynnik przewodnictwa. Powoduje on, że tranzystory w stanie wyłączenia, kiedy elektrony nie powinny przepływać, z powodu wysokiego przewodnictwa grafenu, generowane są „przecieki” elektronowe. Tranzystory te są więc mało funkcjonalne.

Zespół naukowców pod kierownictwem laureata Nagrody Nobla za odkrycie grafenu - prof. Konstantina Novoselova (dzieli nagrodę z prof. Andre Geimem) z University of Manchester, postanowił rozwiązać ten problem, tworząc zaawansowany materiał przekładkowy na bazie grafenu. Między dwie warstwy grafenu włożono warstwę dwusiarczku molibdenu. Działa on jak izolator, uniemożliwiając przepływ elektronów z jednej warstwy grafenu do drugiej. Pozwala to na zachowanie stanu wyłączenia bez przepływu elektronów.

Stan włączenia uruchamia się tworząc efekt mechaniki kwantowej – tunel elektronowy poprzez molibden. Zachodzi on bardzo rzadko, ale można wytworzyć go sztucznie, odpowiednio przykładając napięcie po obu stronach molibdenowej bariery. Prąd płynie wtedy poprzez warstwę dwusiarczku molibdenu, nadając dodatkową energię elektronom, co powoduje ich szybki przepływ. Tranzystor znajduje się wtedy w stanie włączonym . Zmieniając przykładane napięcie, naukowcy sterują przepływem elektronów, tworząc w pełni funkcjonalny tranzystor.

Grafenowy materiał przekładowy zmniejsza 10-krotnie przecieki elektronowe w stosunku do tranzystorów opartych na czystym grafenie. Zespół zamierza zmniejszyć przecieki do poziomu występującego w klasycznych tranzystorach krzemowych, poprzez zwiększenie grubości warstwy dwusiarczku molibdenu. Opracowanie bowiem funkcjonalnych tranzystorów grafenowych, według Novoselova, daje możliwość skonstruowania tanich, szybkich komputerów osobistych.

Źródło: http://www.naukawpolsce.pap.pl

Podziel się ze znajomymi
Drukuj PDF
wstecz

Partnerzy:
GoldenLine Projekt Internetowa Promocja Nauki Studia.net Uczelnie.net Analityka Nauka w Polsce CITTRU - Centrum Innowacji, Transferu Technologii i Rozwoju Uniwersytetu Akademia PAN Chemia i Biznes Farmacom Świat Chemii PPNANO dlastudenta.pl Towary niebezpieczne Forum Akademickie inzynierka.pl Biotechnologia    
Patronaty:
Projektor Jagielloński Rozwiązania dla diagnostyki laboratoryjnej EuroLab Salmed EXPOCHEM 2012 Kancelaria Notarialna Notariusz Marta Warbińska BioForum Noc Biologów 29 Międzynarodowe Sympozjum Chromatograficzne I Międzynarodowa Konferencja Studentów Biofizyki pod patronatem Laboratoria.net 7Kongres Technologii Chemicznej Majówka Młodych Biomechaników 2012