Akceptuję
W ramach naszej witryny stosujemy pliki cookies w celu świadczenia państwu usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczone w Państwa urządzeniu końcowym. Możecie Państwo dokonać w każdym czasie zmiany ustawień dotyczących cookies. Więcej szczegółów w naszej Polityce Prywatności

Zamknij X
BioSzkolenia
Strona główna Nowe technologie
Dodatkowy na dole

Dodatkowy na dole

Nowe półprzewodniki do budowy bardziej wydajnych urządzeń

Unijni naukowcy opracowali nowy sposób integrowania półprzewodnikowych materiałów z grupy III-V z waflami krzemowymi (Si). To ogromy postęp na drodze do stworzenia mniejszych, bardziej wydajnych chipów o niskiej gęstości mocy.

Ciągle obowiązujące prawo Moore'a jest jednym z głównych czynników napędzających rozwój urządzeń komputerowych, które stają się coraz mniejsze, szybsze i tańsze. Jednak w związku z tym branża półprzewodników musi zmierzyć się z dużym wyzwaniem – unowocześnieniem procesów opracowanych kiedyś z myślą o skali kilku mikronów, tak aby umożliwić budowanie złączy rozmiaru kilku nanometrów.

Naukowcom uczestniczącym w finansowanym przez UE projekcie FACIT (Fast anneal of compound semiconductors for integration of new technologies) udało się stworzyć materiał będący połączeniem pierwiastków z grup III-V – indu, galu i arsenu (InGaAs) – ze stopem krzemu i germanu (SiGe), przeznaczony do produkcji chipów CMOS. Ta doskonale nadająca się do wytwarzania chipów na dużą skalę nowa technologia jest przyszłościowym rozwiązaniem dla producentów układów scalonych.

Bazując na istniejących, dużych wafli krzemowych o rozmiarach od 350 do 400 mm, zespół zaprojektował proces umożliwiający integrację warstw InGaAs i SiGe z krzemowymi obwodami CMOS. Naukowcy uważają, że ta metoda pozwoli dalej miniaturyzować i skalować technologię CMOS do poziomu nanometrycznego.

Właściwości materiałów SiGe i InGaAs znacząco różnią się od właściwości krzemu, zwłaszcza w zakresie obróbki cieplnej. Ponadto InGaAs i SiGe wymagają zupełnie innych warunków przetwarzania, a w szczególności innego bilansu cieplnego. Okazało się, że idealną technologią umożliwiającą jednoczesną integrację warstw SiGe i InGaAs jest ultraszybkie wyżarzanie.

Zespół FACIT zbadał wpływ trwającego kilka milisekund wyżarzania na materiały o wysokiej mobilności elektronów. Wyniki dowiodły, że wyżarzanie milisekundowe znacznie zmniejsza gęstość stanów powierzchniowych, zaś sam proces jest równoważny tradycyjnemu wyżarzaniu, jednak charakteryzuje się dużo niższym bilansem cieplnym.

Oznacza to, że ultraszybkie wyżarzanie może być wykorzystywane do tworzenia stabilnych płytkich złączy. Wyniki projektu są bardzo obiecujące, ponieważ zastąpienie krzemu materiałami o wysokiej mobilności elektronów, takim jak Ge i InGaAs, będzie kolejną rewolucją materiałową. Możliwość integrowania wysokiej jakości materiałów tego typu z podłożami krzemowymi pozwoli w przyszłości wytwarzać nowe, nanoskalowe tranzystory o większej mocy i wydajności.

Źródło: www.cordis.europa.eu


Drukuj PDF
wstecz Podziel się ze znajomymi

Informacje dnia: Smog - kilka zasad jak z nim walczyć Stres i ból głowy – jak się uporać? Aerozol z e-papierosów negatywnie wpływa na czynność płuc 16 % polskich internautów odczuwa lęk przed odłączeniem od Internetu Operacje robotyczne stają się światowym standardem Leczenie przeziębień ogólnie mało skuteczne Smog - kilka zasad jak z nim walczyć Stres i ból głowy – jak się uporać? Aerozol z e-papierosów negatywnie wpływa na czynność płuc 16 % polskich internautów odczuwa lęk przed odłączeniem od Internetu Operacje robotyczne stają się światowym standardem Leczenie przeziębień ogólnie mało skuteczne Smog - kilka zasad jak z nim walczyć Stres i ból głowy – jak się uporać? Aerozol z e-papierosów negatywnie wpływa na czynność płuc 16 % polskich internautów odczuwa lęk przed odłączeniem od Internetu Operacje robotyczne stają się światowym standardem Leczenie przeziębień ogólnie mało skuteczne

Partnerzy

GoldenLine Fundacja Kobiety Nauki Job24 Obywatele Nauki NeuroSkoki Portal MaterialyInzynierskie.pl Uni Gdansk MULTITRAIN I MULTITRAIN II Nauki przyrodnicze KOŁO INZYNIERÓW PB ICHF PAN FUNDACJA JWP NEURONAUKA Mlodym Okiem Polski Instytut Rozwoju Biznesu Analityka Nauka w Polsce CITTRU - Centrum Innowacji, Transferu Technologii i Rozwoju Uniwersytetu Akademia PAN Chemia i Biznes Farmacom Świat Chemii Forum Akademickie Biotechnologia     Geodezja Instytut Lotnictwa EuroLab

Szanowny Czytelniku!

 
25 maja 2018 roku zacznie obowiązywać Rozporządzenie Parlamentu Europejskiego i Rady (UE) 2016/679 z dnia 27 kwietnia 2016 r (RODO). Potrzebujemy Twojej zgody na przetwarzanie Twoich danych osobowych przechowywanych w plikach cookies. Poniżej znajdziesz pełny zakres informacji na ten temat.
 
Zgadzam się na przechowywanie na urządzeniu, z którego korzystam tzw. plików cookies oraz na przetwarzanie moich danych osobowych pozostawianych w czasie korzystania przeze mnie ze strony internetowej Laboratoria.net w celach marketingowych, w tym na profilowanie i w celach analitycznych.

Kto będzie administratorem Twoich danych?

Administratorami Twoich danych będziemy my: Portal Laboratoria.net z siedzibą w Krakowie (Grupa INTS ul. Czerwone Maki 55/25 30-392 Kraków).

O jakich danych mówimy?

Chodzi o dane osobowe, które są zbierane w ramach korzystania przez Ciebie z naszych usług w tym zapisywanych w plikach cookies.

Dlaczego chcemy przetwarzać Twoje dane?

Przetwarzamy te dane w celach opisanych w polityce prywatności, między innymi aby:

Komu możemy przekazać dane?

Zgodnie z obowiązującym prawem Twoje dane możemy przekazywać podmiotom przetwarzającym je na nasze zlecenie, np. agencjom marketingowym, podwykonawcom naszych usług oraz podmiotom uprawnionym do uzyskania danych na podstawie obowiązującego prawa np. sądom lub organom ścigania – oczywiście tylko gdy wystąpią z żądaniem w oparciu o stosowną podstawę prawną.

Jakie masz prawa w stosunku do Twoich danych?

Masz między innymi prawo do żądania dostępu do danych, sprostowania, usunięcia lub ograniczenia ich przetwarzania. Możesz także wycofać zgodę na przetwarzanie danych osobowych, zgłosić sprzeciw oraz skorzystać z innych praw.

Jakie są podstawy prawne przetwarzania Twoich danych?

Każde przetwarzanie Twoich danych musi być oparte na właściwej, zgodnej z obowiązującymi przepisami, podstawie prawnej. Podstawą prawną przetwarzania Twoich danych w celu świadczenia usług, w tym dopasowywania ich do Twoich zainteresowań, analizowania ich i udoskonalania oraz zapewniania ich bezpieczeństwa jest niezbędność do wykonania umów o ich świadczenie (tymi umowami są zazwyczaj regulaminy lub podobne dokumenty dostępne w usługach, z których korzystasz). Taką podstawą prawną dla pomiarów statystycznych i marketingu własnego administratorów jest tzw. uzasadniony interes administratora. Przetwarzanie Twoich danych w celach marketingowych podmiotów trzecich będzie odbywać się na podstawie Twojej dobrowolnej zgody.

Dlatego też proszę zaznacz przycisk "zgadzam się" jeżeli zgadzasz się na przetwarzanie Twoich danych osobowych zbieranych w ramach korzystania przez ze mnie z portalu *Laboratoria.net, udostępnianych zarówno w wersji "desktop", jak i "mobile", w tym także zbieranych w tzw. plikach cookies. Wyrażenie zgody jest dobrowolne i możesz ją w dowolnym momencie wycofać.
 
Więcej w naszej POLITYCE PRYWATNOŚCI
 

Newsletter

Zawsze aktualne informacje