Akceptuję
W ramach naszej witryny stosujemy pliki cookies w celu świadczenia państwu usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczone w Państwa urządzeniu końcowym. Możecie Państwo dokonać w każdym czasie zmiany ustawień dotyczących cookies. Więcej szczegółów w naszej Polityce Prywatności

Zamknij X
Szkolenia3
Strona główna Nowe technologie
Dodatkowy u góry

Zysk z grafenu

Dążąc do przewyższenia możliwości elektroniki krzemowej, naukowcy zajmujący się badaniami grafenu tworzą coraz nowsze tranzystory, działające z coraz większą częstotliwością. Niestety jednocześnie opóźnieniu ulega inna właściwość, istotna dla urządzeń analogowych działających z częstotliwością radiową – wewnętrzny przyrost napięcia. W związku z tym niemieccy i włoscy naukowcy opracowali technikę układania grafenu warstwowo, co znacznie zwiększa przyrost napięcia w tranzystorach grafenowych.



Grafen posiada niezwykłe elektroniczne właściwości wykorzystywane przez naukowców do budowy urządzeń analogowych pracujących z częstotliwością wynoszącą nawet do 300GHz. Daje to nadzieję na to, że takie urządzenia przewyższą swoje krzemowe odpowiedniki.

Coraz szybsze tranzystory grafenowe powstają w laboratoriach na całym świecie. Gianluca Fiori, naukowiec z Nanoscale Device Simulation Laboratory at the University of Pisa we Włoszech, podkreśla, iż co dwa lub trzy miesiące zostaje pobity rekord, ustanowiony przez tych samych naukowców kilka miesięcy wcześniej. Zespołowi badawczemu Fiori’ego udało się osiągnąć przyrost napięcia wynoszący 35 dzięki zastosowaniu dwóch warstw grafenu w tranzystorze polowym (FET). Jest to sześciokrotność przyrostu uzyskanego w jednowarstwowym FET.

Problemem urządzeń wykonanych z jednej warstwy grafenu jest ich niska rezystancja wyjściowa, która przekłada się na bardzo słaby przyrost napięcia. Jednym ze sposobów zwiększających częstotliwość pracy tranzystorów, jest ich zmniejszenie. Jednakże w krótszym paśmie rezystancja nadal spada, utrudniając tym samym przyrost napięcia. Fiori twierdzi, iż dodanie drugiej warstwy grafenu zwiększa opór bez szkody dla maksymalnej częstotliwości tranzystora.

Źródło: http://www.nanonet.pl,  http://pubs.acs.org

Tagi: grafen, centrum, nanosurowiec, nanotechnologia, technologia, nowoczesna technologia, fizyka, centrum grafenowe, lab, laboratorium, laboratoria
Drukuj PDF
wstecz Podziel się ze znajomymi

Informacje dnia: Wielofunkcyjne czujniki do monitorowania oceanów Narzędzie do indywidualnego doboru stent-graftów Czujniki bezdotykowe - nowa relacja z technologią Magnetyczny rezonans jądrowy bez wielkich i drogich magnesów Bieganie łagodzi wpływ stresu na mózg Pozytywne nastawienie chroni przed demencją Wielofunkcyjne czujniki do monitorowania oceanów Narzędzie do indywidualnego doboru stent-graftów Czujniki bezdotykowe - nowa relacja z technologią Magnetyczny rezonans jądrowy bez wielkich i drogich magnesów Bieganie łagodzi wpływ stresu na mózg Pozytywne nastawienie chroni przed demencją Wielofunkcyjne czujniki do monitorowania oceanów Narzędzie do indywidualnego doboru stent-graftów Czujniki bezdotykowe - nowa relacja z technologią Magnetyczny rezonans jądrowy bez wielkich i drogich magnesów Bieganie łagodzi wpływ stresu na mózg Pozytywne nastawienie chroni przed demencją

Partnerzy

GoldenLine Fundacja Kobiety Nauki Job24 Obywatele Nauki NeuroSkoki Portal MaterialyInzynierskie.pl Biomantis Uni Gdansk MULTITRAIN I MULTITRAIN II Nauki przyrodnicze KOŁO INZYNIERÓW PB ICHF PAN FUNDACJA JWP NEURONAUKA Polski Instytut Rozwoju Biznesu Analityka Nauka w Polsce CITTRU - Centrum Innowacji, Transferu Technologii i Rozwoju Uniwersytetu Akademia PAN Chemia i Biznes Farmacom Świat Chemii Forum Akademickie Biotechnologia     Geodezja Projektor Jagielloński Instytut Lotnictwa EuroLab